「相変化メモリは熱に弱い」という常識を覆す高耐熱PCM技術(8/8)

1時間の高温処理による抵抗値の変動。上がSiN膜、下がSiC膜で記憶素子全体を囲んだメモリセル。IMW 2019の論文集から