「相変化メモリは熱に弱い」という常識を覆す高耐熱PCM技術(7/8)

記憶素子の構造図(上)と、SiC膜で全体を囲んだ記憶素子の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)とエネルギー分散型X線分光(EDX)の組み合わせによって元素分析した画像(下)。IMW 2019の論文集から