前の画像
次の画像
記事へ
試作したメモリセルの電流電圧特性。IMW 2019の論文集から
3次元クロスポイント構造で128Gbitの大容量不揮発性メモリをSK Hynixが開発
2018年12月7日
福田昭のセミコン業界最前線
ReRAMとMRAMがクロスポイント積層で100Gbit超えの大容量化へ
2018年5月24日
ついに明らかになった3D XPointメモリの正体。外部企業がダイ内部を原子レベルで解析
2017年8月15日
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身
2015年7月30日
6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量不揮発性メモリ
2019年6月12日
