クロスポイント構造メモリセルの製造工程。はじめにワード線層、ボトム電極層、メモリ層、中間電極層、セレクタ層、トップ電極層などの薄膜を成膜する(a)。次に、ワード線に沿って自己整合的にパターンを加工する(b)。そして層間絶縁膜を埋め込んで平坦化し、ビット線層を堆積する(c)。最後にビット線に沿って自己整合的にパターンを加工する(d)。IEDMの実行委員会が報道機関向けに提供した資料から
