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96層の3D NAND技術で製造したメモリセルアレイの断面を電子顕微鏡で観察した写真。Intel-Micron連合がIEDMで発表した論文から
福田昭のセミコン業界最前線
半導体デバイスの明日を展望するIEDM 2018が12月に米国で開催
2018年11月12日
MicronがDRAMと3D NANDの開発状況を一部明らかに
2018年6月22日
Micron、7mm厚2.5インチで容量7.68TBの“QLC NAND”採用SSD
2018年5月22日
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
2018年2月26日
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2020年6月1日