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Intel-Micron連合が開発した、記憶容量が1Tbitと大きなNANDフラッシュのシリコンダイ写真。両社がIEDMで発表した論文から
福田昭のセミコン業界最前線
半導体デバイスの明日を展望するIEDM 2018が12月に米国で開催
2018年11月12日
MicronがDRAMと3D NANDの開発状況を一部明らかに
2018年6月22日
Micron、7mm厚2.5インチで容量7.68TBの“QLC NAND”採用SSD
2018年5月22日
3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突
2018年2月26日
Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作
2020年6月1日