96層の3D NAND技術とQLC技術を組み合わせたメモリセルのデータ書き換えサイクル特性。グラフはしきい電圧の分布(ヒストグラム)。1,500回のデータ書き換えサイクルを繰り返しても、しきい電圧の分布がほぼ変わっていない。すなわち、劣化がほとんどないことを意味する。東芝メモリによる基調講演のスライドを撮影したもの

96層の3D NAND技術とQLC技術を組み合わせたメモリセルのデータ書き換えサイクル特性。グラフはしきい電圧の分布(ヒストグラム)。1,500回のデータ書き換えサイクルを繰り返しても、しきい電圧の分布がほぼ変わっていない。すなわち、劣化がほとんどないことを意味する。東芝メモリによる基調講演のスライドを撮影したもの