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40nm技術で試作したReRAMセルの長期信頼性。左は書き換えサイクル特性。右はデータ保持特性。パナソニックがIMW 2018で発表した論文から
最先端3D NANDフラッシュに隠されていた事実
2018年5月15日
パナソニック、ReRAMの書き換え回数を120万回と10倍以上に伸ばす
2017年5月18日
パナソニック、ReRAMの記憶容量を10倍以上に高める技術を開発
2015年6月18日
福田昭のセミコン業界最前線
パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ
2018年8月8日