40nm技術で試作したReRAMセルの長期信頼性。左は書き換えサイクル特性。右はデータ保持特性。パナソニックがIMW 2018で発表した論文から

40nm技術で試作したReRAMセルの長期信頼性。左は書き換えサイクル特性。右はデータ保持特性。パナソニックがIMW 2018で発表した論文から