3D NAND技術によるTLC方式フラッシュメモリの記憶密度の推移。国際学会ISSCCで2015年から2018年にかけて発表されたもの。2015年を基準にすると、1年に1.5倍のペースで記憶密度が向上してきたことがわかる。東芝-WD連合がISSCC 2018で発表した3D NANDフラッシュ技術の講演スライドから
