EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術(11/14)

Intelが開発した10nm CMOSプラットフォームの多層配線構造(12層)の断面を顕微鏡で観察した画像(TM1層を除く)。IEDM 2017の実行委員会が報道機関向けに配布した資料から