EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術(12/14)

GLOBALFOUNDRIESが開発した7nm CMOSプラットフォームの多層配線アーキテクチャ(左)とボトム側配線層の断面観察像(右)。IEDM 2017の実行委員会が報道機関向けに配布した資料から