微細化による、配線抵抗と配線が許容する電流密度の変化。横軸の左方向が微細化の方向。左の図は微細化によって配線抵抗(単位長当たり)が増加する様子。CuとWはバリア層あり、CoとRu、NiSi(ニッケルシリサイド)、Doped MLG(多層グラフェン、インターカレーション済み)はバリア層なし。多層グラフェンの抵抗値がもっとも低い。右の図は、微細化によって許容可能な電流密度が変化する様子。薄緑色の部分は多層グラフェンが許容する密度、中央の黒い曲線は要求仕様、橙色の曲線はCuが許容する密度。配線幅が22nm以下になると、Cu配線では要求仕様を満たせなくなる。カリフォルニア大学サンタバーバラ校(University of California, Santa Barbara)が2017年12月に国際学会IEDMで発表した論文から(講演番号14.3)