4bit/セルの高密度メモリセル技術「X4」。64層の3D NANDフラッシュに導入することで、768Gbitと巨大な記憶容量を備えるシリコンダイを実現した。左の図はメモリセルアレイの構造図。中央はメモリセルの構造図。右はメモリセルのしきい電圧を16段階に制御した結果 ※2017年FMSキーノート講演でWestern Digitalが示したスライドから
