Micron、2017年中に1Xnm DRAMや64層3D NANDを出荷

　米Micronは2日(現地時間)、機関投資家/アナリスト向けの説明会「2017 Micron Analyst Conference」を開催した。

　スライド資料によると、DRAMの製造において、2017年末までに、現行の20nmから微細化を進めた1Xnm世代の“意味のある成果”を予告。また、1Xnmから微細化を進めた1Ynm(現在米国と日本のFabで1Znmと同時に開発中)も、2017年下半期に製造段階へ移行するという。

　NANDフラッシュについても、2017年末までに64層第2世代3D NANDの“意味のある成果”を予告。2017年下半期には、第3世代3D NANDの製造導入も行なうとしている。4bitのQLCについては、「市場の需要に合わせ展開する」としている。

2016年のDRAM/NAND製造の成果

今後のDRAM製造

2017年のDRAM製造

今後のNAND製造

　3D XPointについては、第1世代は既に量産段階に入っており、現在次世代、次々世代を開発中としている。また、新たな高性能メモリも開発中であるとする。

3D Xpoint

不揮発性メモリと見られる次世代の新高性能メモリは、DRAMに匹敵する速度とコストパフォーマンスを謳う

　GDDRについても、2017年後半にも1Xnm製造のGDDR5を投入するとしているほか、次世代のグラフィックスソリューションを見据えた「GDDR6」も開発中としている。

　GDDR6は、GDDR5(8Gbps)の2倍となる16Gbpsをターゲットとするメモリで、スライドではGDDR6の投入時期について明記されていないが、Computerworldの報道によれば、2017年中の投入を目指しているという。

GDDR6は開発中

GDDR5の2倍高速に

GDDRは高性能コンピューティングだけでなくルーターやスイッチなどのネットワーク関連機器でも採用される

GDDRにおけるMicronの優位点

PCだけでなくゲームコンソールもVRに後押しされて高性能化が進み、GDDR5X/GGDR6への移行が進むとの予測