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Micron、2017年中に1Xnm DRAMや64層3D NANDを出荷
～GDDR6も同年中に投入か
2017年2月6日 14:13
米Micronは2日(現地時間)、機関投資家/アナリスト向けの説明会「2017 Micron Analyst Conference」を開催した。
スライド資料によると、DRAMの製造において、2017年末までに、現行の20nmから微細化を進めた1Xnm世代の“意味のある成果”を予告。また、1Xnmから微細化を進めた1Ynm(現在米国と日本のFabで1Znmと同時に開発中)も、2017年下半期に製造段階へ移行するという。
NANDフラッシュについても、2017年末までに64層第2世代3D NANDの“意味のある成果”を予告。2017年下半期には、第3世代3D NANDの製造導入も行なうとしている。4bitのQLCについては、「市場の需要に合わせ展開する」としている。
3D XPointについては、第1世代は既に量産段階に入っており、現在次世代、次々世代を開発中としている。また、新たな高性能メモリも開発中であるとする。
GDDRについても、2017年後半にも1Xnm製造のGDDR5を投入するとしているほか、次世代のグラフィックスソリューションを見据えた「GDDR6」も開発中としている。
GDDR6は、GDDR5(8Gbps)の2倍となる16Gbpsをターゲットとするメモリで、スライドではGDDR6の投入時期について明記されていないが、Computerworldの報道によれば、2017年中の投入を目指しているという。
