東芝が2015年のFMSキーノート講演で示したスライド。左がプレーナ型(2D)NANDフラッシュメモリセルの電荷量(相対値)。右が3D NANDフラッシュメモリセルの電荷量(相対値)。3D NANDフラッシュはQLCセルでも、プレーナ型MLCセル(15nm技術)の1.5倍の電荷量を蓄積可能だとする

東芝が2015年のFMSキーノート講演で示したスライド。左がプレーナ型(2D)NANDフラッシュメモリセルの電荷量(相対値)。右が3D NANDフラッシュメモリセルの電荷量(相対値)。3D NANDフラッシュはQLCセルでも、プレーナ型MLCセル(15nm技術)の1.5倍の電荷量を蓄積可能だとする