96層と超高層化した3D NAND技術「BiCS4」で512Gbitのシリコンダイを試作 ※今年のFMSキーノート講演で東芝が示したスライドから

96層と超高層化した3D NAND技術「BiCS4」で512Gbitのシリコンダイを試作 ※今年のFMSキーノート講演で東芝が示したスライドから