3D NANDフラッシュ技術によるビットコスト(記憶容量当たりのコスト)低減と大容量化のトレンド。黄色(上側)の曲線は、平面状のメモリセルアレイを単純に積み重ねた構造。青色(下側)の曲線は、「パンチ・アンド・プラグ(Punch and Plug)」技術あるいは「メモリ・ホール・プロセス(Memory Hole Process)」によって多層構造を一括して製造する構造(現在の3D NANDフラッシュ技術)。IMW2017の講演論文(チュートリアル)から引用した
