メモリホールの底部(ボトム)と開口部(トップ)における直径と、セルトランジスタのしきい電圧の変化。底部から開口部に向かってセルトランジスタの特性が少しずつずれていく。このずれ(ばらつき)を考慮して消去およびプログラムのしきい電圧を調整する。Samsungの講演スライド(講演番号13.4)から
