3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合(10/14)

周辺回路をメモリセルアレイの周囲に配置した従来のレイアウト(左)と、周辺回路をメモリセルアレイの直下に配置した今回のレイアウト(右)の比較。東芝-WD連合の講演スライド(講演番号13.5)から