Samsung、48層MLCの256Gbit V-NANDを生産開始

Samsungの第3世代V-NAND。記憶容量は256Gbitで3bit/セルのMLCを48層積層する

　韓国Samsung Electronicsは11日(現地時間)、同社初となる256GbitのV-NAND(3D NAND)の生産開始を発表した。この第3世代のV-NANDは、3bit/セルのMLCを採用し、積層数は48層となる。

　第2世代V-NANDは、記憶容量が128Gbit(32層/3bit MLC)となっていたが、同社は今回の第3世代に移行することで、30%の消費電力軽減と40%生産性向上が見込めるという。

　第3世代V-NAND搭載製品は2015年中の発表を計画しているとのことで、コンシューマ向けには2TBかそれ以上の容量を備えたモデルが投入される予定。また、同社はエンタープライズ/データセンター向けに、NVMeやSASインターフェイスを採用した製品も計画している。

　なお、256Gbitの3D NANDは8月4日に東芝-サンディスクも生産開始を発表しており、こちらも48層の3bit/セルとなっている。