エルピーダメモリ株式会社は24日、次世代メモリ「ReRAM」(高速不揮発性抵抗変化型メモリ)の開発に成功したと発表した。

　NEDOとの共同研究事業、およびシャープ、独立行政法人産業技術総合研究所、東京大学との共同実施として開発しているもので、今回50nmプロセスを用い、世界最高レベルとなる64Mbitのメモリセルアレイの動作を確認した。

　ReRAMは、電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子とする次世代半導体メモリ。不揮発性でありながら、書き換え速度が10nsとDRAM並みで、書き換え回数はNANDフラッシュの10倍以上となる100万回以上を実現している。また、消費電力も少ない。

　今後、2013年には30nmプロセスでギガビット級の量産を目指す。