エルピーダメモリ株式会社は5月2日、25nmプロセス製造による2GbitのDDR3 DRAMを開発したと発表した。サンプル出荷と量産開始は2011年7月を予定。

　同社の30nmとの比較では、1bitに用いるセル面積を30%縮小して世界最小のチップサイズを実現し、消費電流も動作時で約15%、待機時で約20%減少しているという。また、プロセス移行の構造変更を最小に抑え、量産時の新たな投資を抑制した。

　動作規格はDDR3-1866以上をサポートし、電圧1.35VのDDR3-1600も対応するという。

　2011年末までに4GbitのDDR3 DRAMの量産を予定し、Mobile RAMへの展開も見込む。