株式会社東芝は17日、容量128GBの組み込み向けNANDフラッシュメモリを発表した。

　JEDECのeMMC(Embedded MultiMediaCard)規格に準拠したNANDフラッシュメモリ。大きさ17×22×1.4mm(幅×奥行き×高さ)のパッケージに、32nmプロセスの64Gbit NANDフラッシュメモリを16枚とコントローラ1枚の計17枚を積層。組み込み用途のNANDフラッシュメモリとして業界最大の128GBを実現した。

　容量128GBのほか、64Gbit NANDフラッシュメモリ8枚を使った64GBモデルも用意。サンプル出荷は64GBが2010年8月、128GBが2010年9月。量産はいずれも2010年第4四半期。

　インターフェイスはeMMC Version 4.4準拠のHS-MMC。データ転送速度は、シーケンシャルリードのDDRモードが55MB/sec、SDRモードが46MB/sec、シーケンシャルライトが21MB/sec(いずれも想定値)。パッケージは153ボールのFBGA。電源電圧はメモリが2.7V～3.6V、インターフェイスが1.65V～1.95V、2.7V～3.6V。バス幅はx1/x4/x8。