エルピーダメモリ株式会社は17日、65nm XS版(エクストラシュリンク版)の1Gbit DDR3 SDRAMを開発完了した。

　シュリンクした設計を採用し、既存のArFドライ露光装置を活用した65nmプロセスでありながら、50nmプロセス品と同等のコスト競争力を実現したという。

　具体的には、従来のS版(シュリンク版)と比較して、300mmウェハで1枚あたりのチップ取得数が25%増加。製造工程の削減や既存の露光技術/装置の活用により、装置コストを大幅に抑制、結果として50nmプロセス製品と同等のコストを実現した。

　新製品は、PCおよびサーバー市場をターゲットに、2010年第1四半期より量産を開始する。