米IBMとNECエレクトロニクス株式会社、株式会社東芝は18日、民生機器向けの28nm半導体プロセスの共同開発を行なうことに合意した。high-kメタルゲートを採用した28nmの低消費電力バルクCMOSプロセス技術を、米ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの施設で開発する。

　この共同開発は32nmプロセス技術の成果に続くもの。32nmで製品を設計すれば、デザインをわずかに変更することで28nmプロセスに移行可能で、より迅速に製品を市場に投入できるとしている。

　なお、NECエレクトロニクスは2008年9月から、東芝は2007年12月からIBMの開発アライアンスに参加している。ほか、同アライアンスには、Chartered SemiconductorやGLOBALFOUNDRIES、Infinion Technologies、Samsung Electronics、STMicroelectronicsが参加している。