9月11日 発表

　米IBMとNECエレクトロニクス株式会社は11日、次世代半導体のプロセス技術の共同開発に合意したと発表した。IBMの半導体共同開発パートナーは、Chartered、Freescale、Infineon、Samsung、STMicro、東芝が参加しており、IBMと合わせて計7社、NECエレクトロニクスはアライアンス8社目の半導体製造会社となる。

　NECエレクトロニクスはこれまで、東芝と共同で45nm世代のCMOSプロセス技術を共同開発し、32nmにおいても共同開発を続けてきた。そして今回、IBMおよび東芝のアライアンスに参加することで、共通のプロセスプラットフォームを開発し、SoCの開発力や設計力を強化する。

　NECエレクトロニクスの中島俊雄社長はリリースで、「半導体の基幹プロセスでの製品の差異化が困難になっているため、世界の半導体メーカーと共同開発することで、プロセスプラットフォーム構築のコストをシェアすることが重要」と、共同開発のメリットを述べている。

　また、「共通プラットフォームを使った上で、NECエレクトロニクスの強みであるeDRAM(Xbox 360やWiiのGPUなどに使われている組み込みDRAM)、高信頼性、低消費電力といった付加価値を加えたシステムLSIを早期に製品化し、ユーザーの期待に応えることを目指す」とコメントしている。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース
http://www.ibm.com/jp/press/2008/09/1103.html
□NECエレクトロニクスのホームページ
http://www.necel.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.necel.com/news/ja/archive/0809/1101.html
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(2008年9月11日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]