東芝、NANDフラッシュとSSDの開発戦略をFMSで公表(9/14)

TSV技術によって8枚のシリコンダイを積層したNANDフラッシュメモリの入出力信号波形(左)とシュムープロット(右)。電源電圧が1.1Vの時に、1.2Gbpsのデータ転送速度を得ている