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大容量NANDフラッシュメモリおよびポストNANDの開発状況。2012年7月10日に東芝が公表した「東芝グループの研究開発戦略」のスライドから
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
2013年8月19日
Samsung、セルを3次元構造とした128Gbit NANDの量産を開始
2013年8月7日
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日
東芝とSanDisk、世界初の48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリ
2015年3月26日
連載福田昭のセミコン業界最前線
本格化する3D NANDフラッシュの量産競争
2015年4月1日
東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術
2015年4月2日