BiCS方式の3次元フラッシュメモリの開発状況。24個のセルトランジスタを縦積みした構造で2bit/セル(MLC)の読み書きを実現している。SanDiskが2012年2月に開催したアナリストミーティングでの講演スライドから

BiCS方式の3次元フラッシュメモリの開発状況。24個のセルトランジスタを縦積みした構造で2bit/セル(MLC)の読み書きを実現している。SanDiskが2012年2月に開催したアナリストミーティングでの講演スライドから