記憶素子の構造と抵抗変化の原理。左が初期状態、中央が低抵抗状態(LRS)、右が高抵抗状態(HRS)

記憶素子の構造と抵抗変化の原理。左が初期状態、中央が低抵抗状態(LRS)、右が高抵抗状態(HRS)