【VLSI 2011レポート】 抵抗変化メモリの開発状況をSamsung、Hynix、ルネサスが一部公表(6/12)

書き換えサイクル試験の結果。10の11乗回の書き換えを繰り返しても、HRSとLRSの抵抗値の間に1,200倍の差がある