メモリ・セル・アレイの回路(左)とメモリ・セルの構造(右)。製造技術は90nmのCMOS技術。メモリ・セル面積は0.2平方μm。記憶素子の材料はGST(相変化メモリの記憶素子としては一般的な材料)である
