【IMW 2011レポート】 容量当たりコストでNANDに追い付く相変化メモリ(2/6)

2M個のメモリ・セルを内蔵した相変化メモリのシリコン・ダイ写真。左は金属配線を形成後、右は金属配線を形成前に撮影したもの