ソニーが開発中の抵抗変化メモリの記憶原理。左はセット状態(低抵抗状態)。上部の金属膜から、下部の酸化膜に金属イオン(銅イオン)が移動して電気伝導の経路を形成している。右はリセット状態(高抵抗状態)。金属イオンは上部の金属膜中にあり、下部の酸化膜は絶縁膜となっている
