韓国Samsung Electronicsは13日(現地時間)、1セル当たり3bitの64Gbit NANDフラッシュメモリを発表した。

　1セル3bitで記録する1チップ64Gbit(8GB)のNANDフラッシュメモリ。プロセスルールは20nmクラスで製造される。30nmクラスの32Gbit品よりも生産性が60%高く、Toggle DDR 1.0仕様に準拠し性能も向上しているという。

　用途として、USBフラッシュメモリ、SDカード、スマートフォン、SSDなどを見込む。