Samsung Electronicsがメモリとストレージのイベント「FMS(Future of Memory and Storage)」(2026年8月4日から6日、米国カリフォルニア州のシリコンバレーで開催)の展示会に出品した高性能フラッシュモジュール「zNAND-O」の模型。右側がフラッシュダイを積層したモジュール。NANDフラッシュメモリのダイは8枚(上半分の4枚は一部のみ)、ベースダイは1枚(最下層)。フラッシュダイの内部にはTSV(シリコン貫通電極)を設けて表裏を接続している。ダイ間の接続はマイクロバンプ。左下はNPU(Neural Processing Unit)。これらを同一のパッケージに封止する。展示会の会場で筆者が撮影したもの