InFO_oSの構造例。左が基本構造。InFOの再配線層(RDL)を中間基板として使う。RDLの配線層は銅(Cu)、絶縁層はポリイミド(PI)であることが多い。黄緑色の部分はパッケージ基板。右はRDLをレチクルの約2.5倍に拡大して10枚のシリコンダイ(ミニダイあるいはチップレット)を搭載するレイアウト(外形寸法は51×42mm)。「CoWoS-R(RDL)」と類似の構造、あるいは「CoWoS-R」そのものに見える。2021年8月に開催された国際学会Hot ChipsのチュートリアルでTSMCが講演したスライドから