ウェハサイズのパッケージ「InFO_SoW(Integrated Fan-Out System on Wafer)」の基本構造。直径300mmのシリコンウェハとほぼ同じサイズのキャリア(RDL基板)にシリコンダイを並べ、InFO技術によってシリコンダイ同士を相互接続する。キャリアの下部には一回り大きな冷却プレート、キャリアの上部には電源供給モジュールと外部接続回路(コネクタ)を配置する。TSMCが2021年8月に高性能プロセッサの国際学会Hot Chipsのチュートリアルで講演したスライドから
