積層数が19%増にも関わらず、記憶密度を40%向上させたMicronのNANDフラッシュ技術(7/12)

ページバッファ(PB)のシリコン面積(G7を基準とした相対値)とシリコンダイに占める割合の推移。MicronがIMW 2025で発表した論文から(論文番号1.1)