試作したテスト用メモリセルの評価結果。左は書き込み(プログラム)と消去の特性。中央は書き換えサイクル試験の結果、右はセルトランジスタ間の電気的な干渉のテスト結果。キオクシアがIEDM 2024で発表した講演のスライドから(講演番号30-1)
