VG-NANDアーキテクチャ(左)のメモリセルレイアウトとHCFアーキテクチャ(右)のセルレイアウト。記憶技術はVG-NANDセルが電荷捕獲(チャージトラップ)、HDFセルが浮遊ゲート(フローティングゲート)。キオクシアがIEDM 2024で発表した講演のスライドから(講演番号30-1)
