「CtoW」タイプのHBIプロセスフロー。上側はトップダイのプロセスフロー。CMP(化学的機械的研磨)による平坦化と電極表面の凹み(リセス)形成、プラズマダイシング、プラズマによる表面の活性化、表面の清浄化と進む。その次に個々のトップダイをベースウェハに搭載する。下側はベースウェハのプロセスフロー。CMPによる平坦化と電極表面の凹み形成、プラズマによる表面の活性化、表面の清浄化と進む。次がトップダイの搭載と接着である。この段階ではダイとウェハの絶縁膜表面同士が接着する。次に熱処理を加えると、凹んでいたCu電極表面が膨張し、互いに接触して接合を形成する。IntelがECTC 2024で発表した論文から(論文番号2.3)