試作した32Mbit SOMのメモリセル断面を透過型電子顕微鏡で観察した画像(左)と、SOMのフロアプランを走査型電子顕微鏡で観察した画像(右)。4Mbitのブロック(MAT)を8個レイアウトしているとする。ただしフロアプランの画像は、4Mbitのブロック(2Mbitのハーフブロック×2個)が追加されて物理的には36Mbitのメモリになっているように見える。なお図中の「SSM(self-selecting memory)」はSK hynixの呼称。メモリセル中の「DFM(dual functional material)」はセル選択素子と記憶素子の2つの機能を担うという意味でセレクタにSK hynixが付けた名称。同社が2022年12月に国際学会IEDMで発表した論文(論文番号18.6)から