試作した64Gbit SOMシリコンダイの断面を透過型電子顕微鏡で観察した画像。左はメモリセル部分。上からビット線、トップ電極、OTSベースのセレクタ、ボトム電極、ワード線である。右はシリコンダイの全体像(最上部の金属配線層を除く)。画像の最上部に並んだ小さな列がメモリセルアレイ部分。Samsungが2023年12月に国際学会IEDMで発表した論文(論文番号21-7)から
