Micron Technologyが試作した記憶容量が256Gbitと大きなセレクタオンリーメモリ(Micronは「SXM」と呼称)の断面を電子顕微鏡で観察した画像。左はメモリの全体を観察した画像。中央はメモリセルアレイの断面を観察した画像。右はメモリセルの断面を観察した画像。タングステン(W)のビット線(BL)とカルコゲナイド化合物(Chal)のセレクタ(スイッチ兼記憶素子)を図示してある。メモリセルアレイの最小加工寸法(ハーフピッチ)は20nm、3次元積層のスタック数(デッキ数)は4スタック。Micronが2023年12月に国際学会IEDMで発表した論文(論文番号21-4、招待講演)から