高周波化合物半導体トランジスタの熱解析の結果(講演番号15.3)。自己発熱の影響が無視できなくなる。バルクに比べて温度上昇は3倍に達する。2022年12月5日(米国時間)にIEDMの実行委員会が開催した報道関係者向け説明会の配布資料から抜粋した
