次世代チャンネル材料の候補である遷移金属ダイカルコゲナイド化合物の単原子層をCVDで作成し、ウェハスケールで転写する技術をTSMCが開発(論文番号T1-5)。2022年5月31日(米国時間)に米国のVLSIシンポジウム実行委員会がオンライン開催した報道機関向け説明会の発表スライドから
