Huawei Technologiesが開発した次世代DRAM技術(論文番号2-5)。酸化物半導体のIGZOをチャンネルに使った垂直構造のトランジスタによるキャパシタレスのDRAMセル。2022年4月22日に日本のVLSIシンポジウム実行委員会がオンライン開催した報道機関向け説明会の発表スライドから
