VLSIシンポジウムで、2nm以降のデバイスを支えるFETや配線、メモリなどの革新技術(17/32)

IBMが開発した超高速・長寿命の磁気メモリ(MRAM)技術(論文番号T1-4)。2022年4月22日に日本のVLSIシンポジウム実行委員会がオンライン開催した報道機関向け説明会の発表スライドから