耐圧が2,200Vと高いGaNトランジスタをシリコン(Si)基板に試作。パナソニックが2010年12月に発表したリリースから

耐圧が2,200Vと高いGaNトランジスタをシリコン(Si)基板に試作。パナソニックが2010年12月に発表したリリースから